在所有應用產(chǎn)業(yè)中,半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來,濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中,各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,銀圓柱靶廠,有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。
中國的工業(yè),由于長期處于計劃經(jīng)濟體制內(nèi),發(fā)展比較緩慢,對于金銀而言,銀圓柱靶報價,可以說是歷史悠久,銀圓柱靶價格,源遠流長了,但在改革開放前,湖南銀圓柱靶,沒有納入國家計劃渠道的,直至2002年10月30日上海黃金正式開業(yè),才宣告了計劃經(jīng)濟時金銀管理條例的失效,而鉑族金屬工業(yè)更是起步晚、技術落后,直到改革開放以后,才有了突飛猛進的發(fā)展,但與國際上的國家相比較,依然是落在人家后面,因此在中國無論是的投資儲備需求,還是實際的應用需求。
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