但是，用均衡算法管理存儲單元，可以系統(tǒng)的壽命。

因為SSD具有“垃圾回收機制”。如果完全刪除SSD上的文件，就會把無效數據所在的整個區(qū)域消滅掉，過程是這樣的：首先集中區(qū)域內的有效數據，移動到一個空閑的地方，然后全部清除“問題區(qū)域”。

SSD越多的存儲性能越慢。而且如果某一分期處于90%以上的使用量，一些固態(tài)硬盤崩潰的可能性就會大大增加，絕大多數硬盤也會出現性能下降的現象。

廣州蘇盈電子科技-M2因此及時清理無用文件，設置適當的虛擬內存大小，M2哪種好，將電影音樂等大文件存放在機械硬盤上十分重要，必須讓固態(tài)硬盤分區(qū)保留足夠的剩余空間。質量輕、能耗低、體積小等特點，同時它的缺點也比較明顯。雖然IDC認為SSD已經進入存儲市場的主流，但它的價格仍然比較貴，容量較低，

M.2接口現在完全轉向PCI-E3.0x4通道，M2批發(fā)價格，理論帶寬達到32Gbps，遠高于之前的水平，大大提高了SSD的性能潛力。

即使是便宜的QLC閃存也可以提供6年的寫入壽命?？煽慷确浅８?，高質量的家用SSD可以輕松達到一般家庭機械硬盤十分之一的故障率。固態(tài)硬盤內的主體其實就是一塊PCB板，而這個PCB板上基本的配件就是控制芯片(部分低端硬盤沒有緩存芯片)和用于存儲數據的閃存芯片。質量輕、能耗低、體積小等特點，同時它的缺點也比較明顯。閃存完全擦寫一次，稱為一次P/E，所以閃存的壽命用P/E表示。34nm閃存芯片的壽命大約為5000次，而25nm周期大約為3000次。當SSD升級時，池州M2，新SSD將提供更少的不必要的寫操作。

連續(xù)寫入速度驚人。大多數固態(tài)硬盤制造商會聲稱他們的固態(tài)硬盤連續(xù)讀寫速度超過500MB/s。近年來，NVMe固態(tài)硬盤可達2000MB/s左右，甚至超過4000MB/s。固態(tài)硬盤的快速讀寫不僅體現在連續(xù)讀寫上，而且隨機讀寫的快速讀寫是固態(tài)硬盤的含義，直接體現在大多數日常操作上。與之相關的是極低的訪問時間，常見的7200轉機械硬盤尋找時間一般為12-14毫秒，而固態(tài)硬盤可以輕松達到0.1毫秒甚至更低。

防震防摔:傳統(tǒng)硬盤為磁盤，數據存儲在磁盤扇區(qū)。而且固態(tài)硬盤是由閃存顆粒(即MP3、U盤等存儲介質)制成，因此SSD固態(tài)硬盤內部沒有任何機械部件

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因此即使在高速移動甚至伴隨翻轉傾斜的情況下，也不會影響正常使用，而且在發(fā)生碰撞和震蕩時，可以將數據丟失的可能性降到。與傳統(tǒng)硬盤相比，固態(tài)硬盤具有優(yōu)勢。

低功耗:固態(tài)硬盤的功耗低于傳統(tǒng)硬盤。

無噪音:固態(tài)硬盤沒有機械電機和風扇，工作時噪音值為0分貝?；陂W存的固態(tài)硬盤在工作狀態(tài)下能耗和熱量較低(但或大容量產品能耗較高)。內部沒有機械活動部件，不會發(fā)生機械故障，不怕碰撞、沖擊、振動。

由于固態(tài)硬盤采用無機械零件的閃存芯片，因此具有發(fā)熱小、散熱快的特點。

工作溫度范圍大:典型的硬盤驅動器只能在5~55攝氏度范圍內工作。大多數固態(tài)硬盤可以在-10~70攝氏度工作。與同容量機械硬盤相比，固態(tài)硬盤體積小，重量輕。固態(tài)硬盤的接口規(guī)格、定義、功能和使用方法與普通硬盤相同，產品形狀和尺寸與普通硬盤相同。芯片的工作溫度范圍很寬(-40~85攝氏度)。便攜性：固態(tài)硬盤在重量上更輕，與常規(guī)1.8英寸硬盤相比，重量輕20-30克。

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M.2接口：

M.2接口，是Intel推出一種取代mSATA一個新的接口標準，也就是我們以前經常所提到的NGFF，M2供應商，即NextGenerationFormFactor。(即NGFF己經改名為M.2了)

mSATA：

mSATA(mini-SATA)是迷你型版本號SATA接口，外觀和電子頁面與miniPCI-E完全一致，但電子信號不一樣，二者互相不適配。

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M.2與mSATA對比主要包括兩個方面優(yōu)點：

速度相當快

第二容積還小

M.2接口有兩種類型：Socket2和Socket3，在其中Socket2適用SATA、PCI-EX2接口，而如果采用PCI-E×2接口標準，大的一個讀取速度可達到700MB/s，載入也能達到550MB/s。而這其中的Socket3可支持PCI-E×4接口，基礎理論網絡帶寬可以達到4GB/s。

M.2(NGFF)2280、2260和2242的各自：

長度的不一樣，2280指卡寬22mm，長80mm;2260指寬22mm，長60mm;2242指寬22mm，長42mm。短肯定能裝上，但不平穩(wěn)，好匹配的。

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NVMe的優(yōu)勢在于三點：

更低的，NVMe精減了啟用方法，運行命令時必須載入存儲器;而AHCI每一條指令則需載入4次存儲器，一共會耗費8000次Cpu循環(huán)系統(tǒng)，從而造成2.5μs的延遲時間。

更高傳送性能，目前市面上性能很不錯的SATA接口SSD，在隊列深層上面可達到32，但是那也是AHCI所能做到的極限值。但是現在的公司級PCIeSSD，其隊列深層估計要做到128，甚至256才可以發(fā)揮其高IOPS性能。而NVMe標準下，大的一個隊列深層可以達到64000。除此之外，NVMe的隊列總數也從AHCI的1，提高了64000。